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CVD化學(xué)氣相淀積試驗(yàn)技術(shù)解釋分析
新聞分類:  技術(shù)資訊    瀏覽:2304    日期:2012/12/31    

    CVD全英文是Chemical Vapor Deposition中文是“化學(xué)氣相淀積”,是指含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑,液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室里,管式電爐在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的重要過(guò)程。

 
     曾經(jīng)在VCD機(jī)生產(chǎn)商競(jìng)爭(zhēng)的年代,內(nèi)部定制的一種碟片標(biāo)準(zhǔn),具有多層菜單,用的C-CUBE公司的芯片. 

    在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備經(jīng)過(guò)CVD處理后,表面處理膜密著性約提高30%,防止高強(qiáng)力鋼的彎曲,拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

    CVD的特點(diǎn)淀積溫度低,薄膜成份易控膜厚淀積時(shí)間成正比,均勻性重復(fù)性好,電爐臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。

 

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