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    樣品衍射數據及基準圖譜(pdf卡片2-1078)數據對比見表1。因此，gan材料在制備高溫，高頻，大功率元件對及光存儲，光探測等方面有著廣泛使用遠景。另外，gan還具有優良熱不亂性，化學不亂性與高熱導率，高擊穿電壓，高電子飽與速度等特性。在管式爐中部，沿氣流方向，依次放置ga2o3與襯底，二者相距5cm。

    x射線衍射數據實驗在y-4q型x射線衍射儀上完成。 樞紐詞：氮化鎵；ga2o3；氨氣中圖種別名：tn304．23 文獻標識碼：a 文章編號：1671-4776(2003)10-0027-03

    氮化鎵是一種優秀寬帶隙化合物半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.4ev。在500-4000cm-1范圍內掃描。對上研究說明使用氮化ga2o3方法，成功地在si襯底上合成了高質量gan晶體顆粒。 2 實 驗

    數據實驗對ga2o3為ga源，nh3為n源，通過氮化說明合成gan晶粒。數據實驗環境為：cu靶，ni濾波片，雙soller準直系統，λkα=0． 154178nm狹縫系統為1°-1°-0．2mm，正比計數器，用si標樣校準儀器。作為良好光電半導體材料，gan在短波長光電元件領域(如藍綠光發光管led，激光器id)及紫外波段探測器箱式爐研究成果方面備受正視[1-3]。但上述方法設備昂貴，工藝方法復雜，影響了gan基半導體光電元件大規模出產與使用，探索一種簡易合成gan材料工藝方法已十分必要。

    海內外良多研究成果機構采用金屬有機物質汽相外延(mocvd)[4]，分子束外延(mbe)[5]及高頻等離子體化學汽相沉積(plasma cvd)[6]技術信息等在不同襯底上生長高質量gan薄膜。數據實驗中所用ga2o3與氨氣純度為99．999％，襯底為<111>晶向硅片，管式電爐在數據實驗的前襯底使用基準程序進行清洗。

。本文使用氮化ga2o3方法，在管式電爐中成功地合成了高質量多晶gan顆粒，探索了一種低本錢制備gan材料新工藝。

    樣品形貌與構造使用hitachi(tokyo，japan)h-800透射電鏡(tem)進行表征。結果表明，用管式電爐合成gan為多晶體，屬六方晶系。箱式電爐氮化時，管式電爐溫度控制在1000℃；流量為400ml／min；時間為3h。圖1說明，si襯底上天生產物為gan，純度很高，為多晶體，后六方晶系(hexagonal)，晶格常數為ao=0．3186am，bo=0．3186am，co=0．5178nm，對ga2o3為ga源，氨氣(nh3)為n源，通過氮化說明合成了高質量gan晶粒。